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集成在IC中的I2CI / O單元結(jié)構(gòu)

multisim ? 來源:multisim ? 作者:multisim ? 2020-09-27 10:50 ? 次閱讀
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I2C是一種同步,多主控,多從屬串行接口,允許微芯片相互通信。作為漏極開路/集電極開路的通信標(biāo)準(zhǔn),即使集成電路使用不同的電壓軌,I2C也允許集成電路(IC)進(jìn)行通信。

I2C標(biāo)準(zhǔn)的四種速度

I2C標(biāo)準(zhǔn)具有四種運(yùn)行速度:

標(biāo)準(zhǔn)模式:100 kHz

快速模式:400 kHz

快速模式加:1 MHz

高速模式:3.4 MHz

I2C總線:串行數(shù)據(jù)和串行時(shí)鐘的 I2C總線使用兩根線串行數(shù)據(jù)(SDA)和串行時(shí)鐘(SCL) -和所有I2C主從設(shè)備僅通過這兩條線相連接。每個(gè)設(shè)備既可以是發(fā)射機(jī),也可以是接收機(jī)。
SDA和SCL信號都是雙向的。每個(gè)器件的SDA和SCL引腳均為漏極開路引腳。它們具有連接到其的上拉電阻以獲得邏輯1。邏輯1取決于電源電壓;邏輯1取決于電源電壓。沒有標(biāo)準(zhǔn)的總線電壓。

I2C細(xì)胞結(jié)構(gòu)讓我們討論集成在IC中的I2CI / O單元結(jié)構(gòu)。I2CI / O單元結(jié)構(gòu)的框圖如圖1所示。

圖1.I2CI / O驅(qū)動(dòng)器框圖在發(fā)送時(shí)間范圍內(nèi)使能TX塊,而在接收時(shí)間范圍內(nèi)使能RX塊。
VDD1和VDD2是主器件和從器件工作的兩個(gè)不同的電壓軌。VDD1是內(nèi)部操作的芯片電源,而VDD2是外部系統(tǒng)使用的電源電壓。為了支持不同的電壓軌,需要一個(gè)電平轉(zhuǎn)換器將信號從一種電源電壓轉(zhuǎn)換為另一種電源電壓。

I2C模塊中的發(fā)送器電路發(fā)送器電路框圖如圖2所示。

圖2.發(fā)送器框圖
A是要在引腳SDA / SCL上發(fā)送出去的數(shù)據(jù)信號。VDD1掉電期間,TLZ是三態(tài)控制。TZ從VDD1移位到VDD2,以使能A_OUT的輸出漏極開路緩沖器。
如果在系統(tǒng)運(yùn)行過程中有意或無意地使VDD1掉電,而VDD2仍處于活動(dòng)狀態(tài),則TZ使能信號變低或不確定。這可以使輸出緩沖器為A_OUT。
TLZ信號用作故障安全機(jī)制。TLZ在掉電期間被拉低,從而將TZ信號拉高。此時(shí),不再啟用輸出緩沖區(qū)。當(dāng)VDD1掉電時(shí),漏極開路緩沖器將處于三態(tài)狀態(tài)。
要了解有關(guān)使用I2C緩沖器的用例,好處和應(yīng)用的更多信息,請查閱AAC關(guān)于何時(shí)使用I2C緩沖器的技術(shù)文章。

I2C模塊中的接收器電路接收器電路框圖如圖3所示。

圖3.接收器框圖
接收器電路通過RX_EN信號使能。TLZ具有與發(fā)射器塊相同的功能。HSMODE信號啟用高速模式。
RX_EN信號從VDD1到VDD2進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換,以使能接收Y_IN信號的緩沖器。然后,電平轉(zhuǎn)換器將緩沖的Y_IN信號移至VDD1電壓軌。

使用故障過濾器I2C信號容易受到噪聲和干擾。結(jié)果,您需要一個(gè)毛刺濾波器來濾除所有不需要的毛刺,并僅允許有效信號通過。在標(biāo)準(zhǔn)/快速模式下,<= 50ns的毛刺被抑制。在高速模式下,抑制毛刺<= 10ns。?
毛刺濾波器的設(shè)計(jì)如圖4所示,時(shí)序圖如圖5所示。

圖4.毛刺濾波器設(shè)計(jì)

圖5.毛刺濾波器的時(shí)序圖
RC時(shí)間常數(shù)會(huì)延遲通過信號并抑制任何毛刺。R1,C1,R2,C2的組合確定要抑制的毛刺的脈沖寬度。根據(jù)I2C規(guī)范,接收器應(yīng)能夠抑制標(biāo)準(zhǔn)和快速模式下<= 50ns的毛刺脈沖,以及在高速模式下<= 10ns的毛刺脈沖。?
來自毛刺濾波器的輸出信號被緩沖,并被IC處理以進(jìn)行進(jìn)一步的操作。

開漏配置的上拉電阻I2C線路上的輸出緩沖器采用漏極開路配置,我們將在有關(guān)I2C總線所需硬件的文章中對此進(jìn)行詳細(xì)討論。任何I2C器件只能在這些I2C線上驅(qū)動(dòng)低電平或使其處于三態(tài)。為了獲得邏輯高電平,需要在三態(tài)條件下將上拉電阻器將其拉至電壓軌。
當(dāng)器件驅(qū)動(dòng)為低電平時(shí),這些上拉電阻通過NMOS汲取電流,如圖6所示。

圖6.開漏配置
上升時(shí)間取決于上拉電阻和寄生電容的時(shí)間常數(shù),通常比下降時(shí)間更長,因?yàn)橄陆凳怯善骷从蒒MOS)驅(qū)動(dòng)的。因此,對于不同的工作速度,需要使用不同的上拉電阻。

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:設(shè)計(jì)集成電路I2C模塊的I / O驅(qū)動(dòng)器

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