濃度升高,不僅降低對新硅片的清洗效果,還可能因飽和而析出沉淀,造成二次污染。例如,溶解的銅離子若達到一定濃度后,反而可能重新附著在晶圓表面形成缺陷。過氧化氫分解產物
    
        
            	
                                    發(fā)表于 10-20 11:21        
        
?169次閱讀            
 
    
                    
    
                               
    
    選擇合適的SC1溶液清洗硅片需要綜合考慮多個因素,以下是具體的方法和要點:明確污染物類型與污染程度有機物污染為主時:如果硅片表面主要是光刻膠、油脂等有機污染物,應適當增加過氧化氫(H?O?)的比例
    
        
            	
                                    發(fā)表于 10-20 11:18        
        
?176次閱讀            
 
    
                    
    
                               
    
    SC-1和SC-2可以一起使用,但需遵循特定的順序和工藝條件。以下是其協(xié)同應用的具體說明:分步實施的邏輯基礎SC-1的核心作用:由氨水(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和水組成,主要去除硅片表面
    
        
            	
                                    發(fā)表于 10-13 10:57        
        
?225次閱讀            
 
    
                    
    
                               
    
    半導體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種,每種均針對特定類型的污染物設計,并通過化學反應實現(xiàn)高效清潔:SC-1(堿性清洗液)成分組成:由氫氧化銨(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和去離子水
    
        
            	
                                    發(fā)表于 09-11 11:19        
        
?878次閱讀            
 
    
                    
    
                               
    
    溶液體系。隨后用去離子水(DIW)噴淋沖洗,配合氮氣槍吹掃表面以去除溶劑痕跡,完成基礎脫脂操作。標準RCA清洗協(xié)議實施第一步:堿性過氧化氫混合液處理(SC-1)配
    
        
            	
                                    發(fā)表于 09-03 10:05        
        
?316次閱讀            
 
    
                    
    
                               
    
     過氧化氫(H2O2)是重要大宗化學品,在化工、醫(yī)療、能源、半導體和環(huán)保等領域應用廣泛,但其工業(yè)主要生產方法為蒽醌法,安全風險和環(huán)保壓力大,開發(fā)綠色安全的H2O2綠色生產工藝是工業(yè)亟需,針對以上困局,作者前期提出了無催化劑光合成H2O2新方案,即室溫條件下光子激發(fā)有機物,有機物
    
        
            	
                                    發(fā)表于 09-02 09:30        
        
?241次閱讀            
 
    
                    
    
                               
    
    通過電化學作用使顆粒與基底脫離;同時增強對有機物的溶解能力124。過氧化氫(H?O?):一種強氧化劑,可將碳化硅表面的顆粒和有機物氧化為水溶性化合物,便于后續(xù)沖洗
    
        
            	
                                    發(fā)表于 08-26 13:34        
        
?632次閱讀            
 
    
                    
    
                               
    
    ),避免引入二次污染。 適用場景:用于RCA標準清洗(SC1/SC2配方)、去除硅片表面金屬離子和顆粒。 典型應用: SC1溶液(H?SO?/H?O?):去除有機物和金屬污染; SC2溶液(HCl/H?O?):去除重金屬殘留。 技術限制: 傳統(tǒng)SPM(硫酸+過氧化氫)清洗中,過氧
    
        
            	
                                    發(fā)表于 06-04 15:15        
        
?844次閱讀            
 
    
                               
    
    在食品加工廠中,臭氧滅菌作為一種高效的清潔手段得到廣泛使用,具備覆蓋性好、滅菌效果好、無殘留等優(yōu)勢,但同時具備一定毒性和強氧化性。因此臭氧滅菌設備通常需要與空調風機系統(tǒng)、環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)等
    
        
            	
                                    發(fā)表于 06-03 18:01        
        
?448次閱讀            
 
    
                    
    
                               
    
    半導體清洗SC1是一種基于氨水(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和去離子水(H?O)的化學清洗工藝,主要用于去除硅片表面的有機物、顆粒污染物及部分金屬雜質。以下是其技術原理、配方配比、工藝特點
    
        
            	
                                    發(fā)表于 04-28 17:22        
        
?3340次閱讀            
 
    
                               
    
    下的潛在影響。 SPM清洗的化學特性 SPM成分:硫酸(H?SO?)與過氧化氫(H?O?)的混合液,通常比例為2:1至4:1(體積比),溫度控制在80-120℃35。 主要作用: 強氧化性:分解有機物(如光刻膠殘留)、氧化金屬污
    
        
            	
                                    發(fā)表于 04-27 11:31        
        
?648次閱讀            
 
    
                               
    
    法) RCA清洗是晶圓清洗的經典工藝,分為兩個核心步驟(SC-1和SC-2),通過化學溶液去除有機物、金屬污染物和顆粒124: SC-1(APM溶液) 化學配比:氫氧化銨(NH?OH,28%)、過氧化氫(H?O?,30%)與去離子水(H?O)的比例為1:1:5。 溫度與時
    
        
            	
                                    發(fā)表于 04-22 09:01        
        
?1030次閱讀            
 
    
                               
    
    在半導體制造過程中,SPM(Sulfuric Peroxide Mixture,硫酸過氧化氫混合液)清洗和HF(Hydrofluoric Acid,氫氟酸)清洗都是重要的濕法清洗步驟。但是很多人有點
    
        
            	
                                    發(fā)表于 04-07 09:47        
        
?1081次閱讀            
 
    
                               
    
    可能來源于前道工序或環(huán)境。通常采用超聲波清洗、機械刷洗等物理方法,結合化學溶液(如酸性過氧化氫溶液)進行清洗。 刻蝕后清洗 目的與方法:在晶圓經過刻蝕工藝后,表面會殘留刻蝕劑和其他雜質,需要通過清洗去除。此步驟通常
    
        
            	
                                    發(fā)表于 01-07 16:12        
        
?695次閱讀            
 
    
                               
    
    一應用原理當產品在大氣中使用時,大氣環(huán)境會導致產品金屬表面形成水膜,而大氣中存在的硫化氫、二氧化硫、二氧化氮、氯氣等有害氣體會溶入金屬表面的水膜中,產生腐蝕性離子加速腐蝕的發(fā)生。近年來,環(huán)境的不斷
    
        
            	
                                    發(fā)表于 11-18 17:56        
        
?1335次閱讀            
 
    
                    
    
                      
                    
評論