幾個(gè)月前，SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)的公司，就此加入存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)行列?，F(xiàn)在，公司宣布它們改進(jìn)的高速高密度存儲(chǔ)已投入量產(chǎn)，能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)16GB/stack的容量。

HBM2E對(duì)HBM2標(biāo)準(zhǔn)型進(jìn)行了一些更新來(lái)提升性能，作為中代產(chǎn)品，能提供更高的時(shí)鐘速度，更高的密度（12層，最高可達(dá)24GB）。三星是第一個(gè)將16GB/satck Flashbolt內(nèi)存搭載在HBM2E上的內(nèi)存供應(yīng)商，能達(dá)到3.2Gbps的速度（超標(biāo)能達(dá)到4.2Gbps）。這反而使得三星成為英偉達(dá)最近推出的A100加速器的主要合作伙伴，該加速器主要用的是三星的Flashbolt內(nèi)存。

SK Hynix近日的聲明意味著HBM2E生態(tài)系統(tǒng)的其他部分正在成型，芯片制造商很快就能擁有第二個(gè)快速存儲(chǔ)器供應(yīng)商。根據(jù)SK Hynix去年的首次聲明，他們新的HBM2E內(nèi)存是8-Hi，16GB堆棧，容量是他們?cè)缙贖BM2E內(nèi)存的兩倍。同時(shí)，該內(nèi)存的時(shí)鐘頻率能夠達(dá)到3.6Gbps/pin，這實(shí)際上比官方HBM2E規(guī)范的最高“僅僅”3.2Gbps/pin快。因此，就像三星的Flashbolt內(nèi)存一樣，對(duì)于擁有HBM2E內(nèi)存控制器的芯片制造商來(lái)說(shuō)，3.6Gbps的數(shù)據(jù)速率基本上是一種超出規(guī)格的可選模式。

在這樣的最高速度下，單個(gè)1024pin的堆?？偣灿?60GB/s的內(nèi)存帶寬這可以和現(xiàn)在大多數(shù)顯卡相媲美（甚至超過）。對(duì)于使用多個(gè)堆棧的更高級(jí)的設(shè)備（例如服務(wù)器GPU），這意味著一個(gè)6棧的結(jié)構(gòu)能達(dá)到2.76TB/s的內(nèi)存帶寬。

雖然SK Hynix現(xiàn)在沒有公布任何客戶，但公司期望這新內(nèi)存能用于包括深度學(xué)習(xí)加速器和高性能計(jì)算的下一代AI（人工智能）。即使英偉達(dá)并不是唯一使用HBM2的供應(yīng)商，英偉達(dá)A100最終也會(huì)在新內(nèi)存直接使用。SK Hynix和AMD的產(chǎn)品線有些接近，后者將在明年推出一些新的服務(wù)器GPU，用于超級(jí)計(jì)算機(jī)和其他HPC系統(tǒng)。所以，無(wú)論如何，HBM2E的時(shí)代正在迅速崛起，因?yàn)樵絹?lái)越多的高端處理器需要引進(jìn)并使用更快的內(nèi)存。

原文鏈接：https://www.anandtech.com/show/15892/sk-hynix-hbm2e-memory-now-in-mass-production