根據(jù)Omdia的一項(xiàng)新研究，在電動(dòng)汽車和光伏應(yīng)用需求的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到2020年底，SiC MOSFET的全球市場規(guī)模將達(dá)到3.2億美元。憑借更高的擊穿電壓、更好的熱性能和更低的開關(guān)損耗，SiC MOSFET正在取代硅MOSFET和IGBT，并已成為制造更小更輕的逆變器的熱門選擇。

PI的SIC1182K和汽車級(jí)SIC118xKQSCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動(dòng)級(jí)。

SCALE-2門極驅(qū)動(dòng)核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動(dòng)器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進(jìn)行安全有效的設(shè)計(jì)。

為何使用SCALE門極驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET？

可以通過外部VEE電路來調(diào)整門極電壓

≤2μs的超快速短路關(guān)斷

大輸出電流及絕緣能力

帶dv/dt反饋的動(dòng)態(tài)高級(jí)有源鉗位

開關(guān)頻率可高達(dá)500 kHz

深入了解：

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下載應(yīng)用指南AN-1601 - 使用SCALE門極驅(qū)動(dòng)器控制SiC MOSFET功率開關(guān)