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SiC IGBT在電力電子變壓器的發(fā)展

汽車玩家 ? 來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 2020-03-20 15:56 ? 次閱讀
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SiCSBD和MOS是目前最為常見(jiàn)的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和IGBT爭(zhēng)搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點(diǎn),第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC 材料又具有優(yōu)于傳統(tǒng) Si 的特性,那么為什么見(jiàn)得最多的卻是 SiC MOS,SiC IGBT 在哪兒呢?

我們都知道,Si 基 IGBT 目前依舊處于霸主地位,而隨著第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料 SiC 的發(fā)展,有關(guān) SiC 的器件陸續(xù)出現(xiàn),并且嘗試著取代 IGBT 應(yīng)用到的相關(guān)行業(yè)。如新能源汽車,SiC 功率器件正在全力進(jìn)入的領(lǐng)域,像特斯拉的 SiC MOS 并聯(lián)方案,以及各半導(dǎo)體廠家正在全力布局的汽車級(jí) SiC MOS 模塊,根據(jù)前面我們提到的 SiC 材料的特性,更高功率、高頻率以及高功率密度的電控正在慢慢浮出水面。既然 SiC 在材料以及 IGBT 在器件的優(yōu)勢(shì)如此明顯,那么為什么沒(méi)有 SiC IGBT 出現(xiàn)?

首先,每個(gè)企業(yè)的生存考慮到的一個(gè)關(guān)鍵因素 -- 成本,就目前 SiC 功率器件而言,價(jià)格上并沒(méi)有太大的優(yōu)勢(shì),可想而知 SiC IGBT 的價(jià)格在大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合是多么的"毫無(wú)競(jìng)爭(zhēng)力"。有些行業(yè)已經(jīng)不是技術(shù)為導(dǎo)向,而是成本為主要因素,更是用不到 SiC IGBT。就算"不差錢(qián)"的新能源汽車行業(yè)目前也僅僅覬覦 SiC MOS。所以,成本是目前 SiC IGBT“生存”的最為關(guān)鍵的因素!

那 SiC IGBT 未來(lái)最有可能先出現(xiàn)在哪兒呢?答案就是我們今天要聊到的 -- 電力電子變壓器 PET,也稱固態(tài)變壓器 SST 或者智能變壓器 ST。一般指通過(guò)電力電子技術(shù)和高頻變壓器的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)具有傳統(tǒng)工頻交流變壓器功能但不限于此的新型電力電子設(shè)備。

PET 一般應(yīng)用于中高壓場(chǎng)合,電力機(jī)車牽引用的車載變流器;智能電網(wǎng) / 能源互聯(lián)網(wǎng)以及分布式可再生能源發(fā)電并網(wǎng)等。優(yōu)點(diǎn):兼容性好、可控性高以及良好的電能質(zhì)量。下圖是基于傳統(tǒng)工頻交流變壓器和電力電子變壓器的低壓配電網(wǎng)的結(jié)構(gòu)圖,大家可以體會(huì)一下什么是 PET:

圖片來(lái)源網(wǎng)絡(luò),侵刪

目前,PET 依舊有如下的問(wèn)題或者說(shuō)是瓶頸:電能轉(zhuǎn)換效率低、功率密度低、造價(jià)高和可靠性差等。而瓶頸產(chǎn)生的主要因素是應(yīng)用其中的功率半導(dǎo)體器件的耐壓水平有限,導(dǎo)致 10kV 電壓需要采用多單元級(jí)聯(lián)的拓?fù)?,從而?dǎo)致了功率器件、儲(chǔ)能電容、電感等數(shù)量相當(dāng)?shù)凝嫶蟆?/p>

可見(jiàn),想要有所突破便需要更高耐壓、更低損耗的功率半導(dǎo)體器件誕生 --SiC IGBT!

由于 Si 基 IGBT 的電壓容量、頻率上限、允許工作溫度等,應(yīng)用的 PET 沒(méi)有再多的突破。而我們前面提到的第三代寬禁帶半導(dǎo)體 SiC 的優(yōu)點(diǎn),擊穿電場(chǎng)特別強(qiáng)、禁帶寬度大、電子飽和漂移速度快、熱導(dǎo)率高等,使其能夠滿足更高頻率、更高耐壓、更高功率等場(chǎng)合,可以使得目前電力電子變壓器 PET 突破瓶頸,更上一層樓~

有人就會(huì)問(wèn),那為什么 SiC MOS 不行呢?這就和我們開(kāi)篇提到的,除了材料優(yōu)勢(shì),還要有器件優(yōu)勢(shì)!隨著阻斷電壓的升高和運(yùn)行結(jié)溫的升高,最直觀的是 SiC MOS 的通態(tài)電阻也會(huì)大幅度增加,導(dǎo)致的損耗會(huì)很大,使得其并不適合以 10kV 以上電壓的設(shè)備。而 SiC IGBT 將會(huì)有優(yōu)越的通態(tài)特性,以及開(kāi)關(guān)速度和良好的安全工作區(qū)域,在 10kV~25kV 的場(chǎng)合"大顯身手"。

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