光刻機中國能造嗎

光刻機被稱為“人類最精密復雜的機器”，該領域的龍頭老大是荷蘭ASML，并已經壟斷了高端光刻機市場。荷蘭ASML公司EUV光刻機售價高達1億美元，而且只有ASML能夠生產。

相比之下，中國最好的光刻機廠商上海微電子裝備有限公司（SMEE）已經量產的光刻機中，性能最好的SSA600/20工藝只能達到90nm，相當于2004年上市的奔騰四CPU的水準。而國外的先進水平已經達到了7納米，正因如此，國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。

就算是進口也沒有那么容易，由于美國主導《瓦森納協(xié)議》的限制，中國只能買到ASML的中低端產品，出價再高，也無法購得ASML的高端設備。例如：Intel、三星、臺積電2015年能買到ASML10 nm的光刻機。而大陸的中芯國際，2015年只能買到ASML 2010年生產的32 nm的光刻機，5年時間對半導體來說，已經足夠讓市場更新?lián)Q代3次了。

雖然和世界先進水平有著不小的差距，但是這些年來中國一直在努力突破技術上的落后和封鎖，國家的“十二五”、“十三五”規(guī)劃也在半導體行業(yè)的各個領域都有相應的布局。

2017年，由長春光機所牽頭承擔的國家科技重大專項02專項——“極紫外光刻關鍵技術研究”項目順利完成驗收。極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography， EUVL）被公認為是最具潛力的下一代光刻技術，面對的是7nm和5nm節(jié)點，代表了當前應用光學發(fā)展最高水平，作為前瞻性EUV光刻關鍵技術研究，國外同類技術封鎖嚴重，技術難度大、瓶頸多。

《中國制造2025》也將EUVL列為了集成電路制造領域的發(fā)展重點對象，并計劃在2030年實現(xiàn)EUV光刻機的國產化。

當你突破了技術封鎖，拉近了技術代差，追逐商業(yè)利益的資本主義便向你拋來了橄欖枝。美帝的套路就是這樣，當年我們準備自研大飛機，美帝說你買我們的波音吧；當年不允許我們進入國際空間站，現(xiàn)在我們有了天宮二號后，又準備和我們合作建立新的國際空間站了。

同理，當我們突破了EUV光刻技術，ASML就開始松動了。據(jù)網絡上的報道， ASML 說EUV光刻機要進口到中國全沒有任何問題！最快2019年，中國或將迎來首臺EUV光刻機。

最后，進入十四五計劃后，隨著國家對芯片領域大幅度投資和持續(xù)投入，相信中國的光刻機發(fā)展也將最終進入大規(guī)模自主生產的階段。還是那句話，一切只是時間問題！

中國光刻機技術和ASML的差距

大家又為中芯國際以及中國高端芯片制造擔憂起來了，原因是中國芯國際向ASML采購的一臺極紫外光刻機，可能生變了。因為ASML已向荷蘭當局申請出口許可4個月了，一直沒有得到許可，導致ASML無法按時交貨。

而這臺極紫外光刻機是中國唯一一臺極紫外光刻機，也是制造高端芯片必不可少的設備，目前只有ASML能夠生產。

于是有人問，目前中國刻蝕機能夠生產出5nm的來了，那么國產光刻機的技術究竟在什么水平，和ASML相比，還差多少，能不能短時間內追上來，從而不再依賴ASML？

實話實說，中國目前的光刻機技術要和ASML相比的話，至少有10年以上的差距，短時間內是追不上的，所以還是想辦法把這臺極紫外光刻機趕緊拉回來才是正事，國產短時間內是沒戲的。

我們知道在光刻機領域，有人根本ASML的技術并結合芯片制造，分為四個檔次，分別是超高端，高端，中端，低檔。

分別對應的節(jié)點分別5/7nm工藝、7-28nm工藝、28-65nm工藝，65-90nm工藝。目前ASML的產品覆蓋所有檔次，而nikon的產品停留在28nm這個節(jié)點，cannon和smee（上海微電子）停留在90nm這個節(jié)點。

意思就是中國的最高技術是90nm，生產出來的光刻機處于低端，只能生產90nm的芯片，而在90nm之后，還有65nm，45nm，32nm，22nm，14nm，10nm，7nm，5nm。

而這些節(jié)點技術，有好幾個臺階要上，首先是45nm的臺階，再到22nm的臺階，再到10nm臺階，再到7nm的臺階，真的是一步一個坎，有些坎幾年都未必能夠更新出一代來。

所以說，從目前的這個情況來看，國產光刻機技術落后ASML至少是10年以上，甚至說10年都算是少的了，可以說是萬里長征才開始第一步。

當然了，正如大家所想，再難也得研發(fā)，否則就會被人卡脖子，目前這臺極紫外光刻機不就是如此么？用于生產5/7/8nm芯片的，是中芯國際用于下一代技術研發(fā)的，現(xiàn)在被卡了，可能會給中國高端芯片制造拖后腿了。