AMD的RX 5500系列顯卡將采用三星7nm制程
12月18日消息 根據(jù)OC3D的報(bào)道，消息稱AMD已經(jīng)采用三星的7nm制程來(lái)制造其Radeon RX 5500系列顯卡，這使得AMD能夠在不影響Zen 2 CPU產(chǎn)量情況下，制造出更多中低端顯卡。
目前，AMD的Radeon RX 5500系列顯卡用于新MacBook Pro筆記本、OEM游戲本和獨(dú)立顯卡(RX 5500 XT)，這些產(chǎn)品使AMD在中檔GPU市場(chǎng)上具有競(jìng)爭(zhēng)力。
外媒評(píng)論稱，從三星采購(gòu)RX 5500 (Navi 14)芯片是AMD的一個(gè)聰明的舉動(dòng)，這使得他們可以解放臺(tái)積電的7nm制造能力，用于利潤(rùn)更高的Zen 2處理器和Radeon RX 5700系列顯卡。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
amd
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
5631瀏覽量
138767 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15891瀏覽量
182797 -
顯卡
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
2516瀏覽量
70913
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
AMD 7nm Versal系列器件NoC的使用及注意事項(xiàng)
AMD 7nm Versal系列器件引入了可編程片上網(wǎng)絡(luò)（NoC, Network on Chip），這是一個(gè)硬化的、高帶寬、低延遲互連結(jié)構(gòu)，旨在實(shí)現(xiàn)可編程邏輯（PL）、處理系統(tǒng)（PS）、AI引擎（AIE）、DDR控制器（DDR
今日看點(diǎn)丨三星美國(guó)廠2nm產(chǎn)線運(yùn)作；《人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識(shí)辦法》正式生效
（2330）長(zhǎng)期規(guī)劃美國(guó)新廠后續(xù)將導(dǎo)入2nm與更先進(jìn)制程，三星加入戰(zhàn)局加上英特爾獲得奧援，2nm以下制程
發(fā)表于 09-02 11:26
?1329次閱讀
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
Performance Body-bias）方案的驗(yàn)證。Exynos 2600是全球首款2nm手機(jī)芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測(cè)試進(jìn)展順利，三星將立即啟動(dòng)量產(chǎn)，
三星代工大變革：2nm全力沖刺，1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年
在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線，專(zhuān)業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上
發(fā)表于 04-18 10:52
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
次公開(kāi)了?SF1.4（1.4nm?級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì)?2027?年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法，SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個(gè)增加到?4?個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ?
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
次公開(kāi)了 SF1.4（1.4nm 級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法，SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ?
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4
三星 Galaxy S25 系列：7年更新承諾
據(jù)荷蘭科技媒體Galaxy Club報(bào)道，三星Galaxy S25系列旗艦手機(jī)迎來(lái)一個(gè)好消息——該系列手機(jī)可獲得長(zhǎng)達(dá)7年的系統(tǒng)和安全更新支持，將
三星電子1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)良率里程碑推遲
據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm
三星1c nm DRAM開(kāi)發(fā)良率里程碑延期
(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結(jié)束開(kāi)發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì)，應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)
nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P，其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體
三星SF4X先進(jìn)制程獲IP生態(tài)關(guān)鍵助力
SF4X制程即4HPC，是4nm系列節(jié)點(diǎn)演進(jìn)新一步，主要面向AI/HPC所需芯片。Blue Cheetah在三星SF4X上制得的D2D PHY支持高級(jí)2.5D和標(biāo)準(zhǔn)2D芯粒封裝，總吞吐
三星芯片代工新掌門(mén)：先進(jìn)與成熟制程并重
與成熟制程的并重發(fā)展。他指出，當(dāng)前三星代工部門(mén)最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實(shí)力。 同
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論