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PCB為什么會(huì)失效

PCB行業(yè)工程師技術(shù)交流 ? 來(lái)源:ct ? 2019-08-20 10:45 ? 次閱讀
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作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~,PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。

但是由于成本以及技術(shù)的原因,PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)了大量的失效問(wèn)題。

對(duì)于這種失效問(wèn)題,我們需要用到一些常用的失效分析技術(shù),來(lái)使得PCB在制造的時(shí)候質(zhì)量和可靠性水平得到一定的保證,本文總結(jié)了十大失效分析技術(shù),供參考借鑒。

外觀檢查

外觀檢查就是目測(cè)或利用一些簡(jiǎn)單儀器,如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查PCB的外觀,尋找失效的部位和相關(guān)的物證,主要的作用就是失效定位和初步判斷PCB的失效模式。

外觀檢查主要檢查PCB的污染、腐蝕、爆板的位置、電路布線以及失效的規(guī)律性、如是批次的或是個(gè)別,是不是總是集中在某個(gè)區(qū)域等等。

另外,有許多PCB的失效是在組裝成PCBA后才發(fā)現(xiàn),是不是組裝工藝過(guò)程以及過(guò)程所用材料的影響導(dǎo)致的失效也需要仔細(xì)檢查失效區(qū)域的特征。

X射線透視檢查

對(duì)于某些不能通過(guò)外觀檢查到的部位以及PCB的通孔內(nèi)部和其他內(nèi)部缺陷,只好使用X射線透視系統(tǒng)來(lái)檢查。

X光透視系統(tǒng)就是利用不同材料厚度或是不同材料密度對(duì)X光的吸濕或透過(guò)率的不同原理來(lái)成像。該技術(shù)更多地用來(lái)檢查PCBA焊點(diǎn)內(nèi)部的缺陷、通孔內(nèi)部缺陷和高密度封裝的BGA或CSP器件的缺陷焊點(diǎn)的定位。

目前的工業(yè)X光透視設(shè)備的分辨率可以達(dá)到一個(gè)微米以下,并正由二維向三維成像的設(shè)備轉(zhuǎn)變,甚至已經(jīng)有五維(5D)的設(shè)備用于封裝的檢查,但是這種5D的X光透視系統(tǒng)非常貴重,很少在工業(yè)界有實(shí)際的應(yīng)用。

切片分析

切片分析就是通過(guò)取樣、鑲嵌、切片、拋磨、腐蝕、觀察等一系列手段和步驟獲得PCB橫截面結(jié)構(gòu)的過(guò)程。

通過(guò)切片分析可以得到反映PCB(通孔、鍍層等)質(zhì)量的微觀結(jié)構(gòu)的豐富信息,為下一步的質(zhì)量改進(jìn)提供很好的依據(jù)。

但是該方法是破壞性的,一旦進(jìn)行了切片,樣品就必然遭到破壞;同時(shí)該方法制樣要求高,制樣耗時(shí)也較長(zhǎng),需要訓(xùn)練有素的技術(shù)人員來(lái)完成。

要求詳細(xì)的切片作業(yè)過(guò)程,可以參考IPC的標(biāo)準(zhǔn)IPC-TM-650 2.1.1和IPC-MS-810規(guī)定的流程進(jìn)行。

掃描聲學(xué)顯微鏡

目前用于電子封裝或組裝分析的主要是C模式的超聲掃描聲學(xué)顯微鏡,它是利用高頻超聲波在材料不連續(xù)界面上反射產(chǎn)生的振幅及位相與極性變化來(lái)成像,其掃描方式是沿著Z軸掃描X-Y平面的信息。

因此,掃描聲學(xué)顯微鏡可以用來(lái)檢測(cè)元器件、材料以及PCB與PCBA內(nèi)部的各種缺陷,包括裂紋、分層、夾雜物以及空洞等。

如果掃描聲學(xué)的頻率寬度足夠的話,還可以直接檢測(cè)到焊點(diǎn)的內(nèi)部缺陷。

典型的掃描聲學(xué)的圖像是以紅色的警示色表示缺陷的存在,由于大量塑料封裝的元器件使用在SMT工藝中,由有鉛轉(zhuǎn)換成無(wú)鉛工藝的過(guò)程中,大量的潮濕回流敏感問(wèn)題產(chǎn)生,即吸濕的塑封器件會(huì)在更高的無(wú)鉛工藝溫度下回流時(shí)出現(xiàn)內(nèi)部或基板分層開(kāi)裂現(xiàn)象,在無(wú)鉛工藝的高溫下普通的PCB也會(huì)常常出現(xiàn)爆板現(xiàn)象。

此時(shí),掃描聲學(xué)顯微鏡就凸現(xiàn)其在多層高密度PCB無(wú)損探傷方面的特別優(yōu)勢(shì)。而一般的明顯的爆板則只需通過(guò)目測(cè)外觀就能檢測(cè)出來(lái)。

顯微紅外分析

顯微紅外分析就是將紅外光譜與顯微鏡結(jié)合在一起的分析方法,它利用不同材料(主要是有機(jī)物)對(duì)紅外光譜不同吸收的原理,分析材料的化合物成分,再結(jié)合顯微鏡可使可見(jiàn)光與紅外光同光路,只要在可見(jiàn)的視場(chǎng)下,就可以尋找要分析微量的有機(jī)污染物。

如果沒(méi)有顯微鏡的結(jié)合,通常紅外光譜只能分析樣品量較多的樣品。

而電子工藝中很多情況是微量污染就可以導(dǎo)致PCB焊盤或引線腳的可焊性不良,可以想象,沒(méi)有顯微鏡配套的紅外光譜是很難解決工藝問(wèn)題的。

顯微紅外分析的主要用途就是分析被焊面或焊點(diǎn)表面的有機(jī)污染物,分析腐蝕或可焊性不良的原因。

掃描電子顯微鏡分析

掃描電子顯微鏡(SEM)是進(jìn)行失效分析的一種最有用的大型電子顯微成像系統(tǒng)。

工作原理是利用陰極發(fā)射的電子束經(jīng)陽(yáng)極加速,由磁透鏡聚焦后形成一束直徑為幾十至幾千埃(A)的電子束流,在掃描線圈的偏轉(zhuǎn)作用下,電子束以一定時(shí)間和空間順序在試樣表面作逐點(diǎn)式掃描運(yùn)動(dòng),這束高能電子束轟擊到樣品表面上會(huì)激發(fā)出多種信息,經(jīng)過(guò)收集放大就能從顯示屏上得到各種相應(yīng)的圖形。

激發(fā)的二次電子產(chǎn)生于樣品表面5~10nm范圍內(nèi),因而,二次電子能夠較好的反映樣品表面的形貌,所以最常用作形貌觀察。

而激發(fā)的背散射電子則產(chǎn)生于樣品表面100~1000nm范圍內(nèi),隨著物質(zhì)原子序數(shù)的不同而發(fā)射不同特征的背散射電子,因此背散射電子圖象具有形貌特征和原子序數(shù)判別的能力,也因此,背散射電子像可反映化學(xué)元素成分的分布。

現(xiàn)時(shí)的掃描電子顯微鏡的功能已經(jīng)很強(qiáng)大,任何精細(xì)結(jié)構(gòu)或表面特征均可放大到幾十萬(wàn)倍進(jìn)行觀察與分析。

在PCB或焊點(diǎn)的失效分析方面,SEM主要用來(lái)作失效機(jī)理的分析,具體說(shuō)來(lái)就是用來(lái)觀察焊盤表面的形貌結(jié)構(gòu)、焊點(diǎn)金相組織、測(cè)量金屬間化物、可焊性鍍層分析以及做錫須分析測(cè)量等。

光學(xué)顯微鏡不同,掃描電鏡所成的是電子像,因此只有黑白兩色,并且掃描電鏡的試樣要求導(dǎo)電,對(duì)非導(dǎo)體和部分半導(dǎo)體需要噴金或碳處理,否則電荷聚集在樣品表面就影響樣品的觀察。

此外,掃描電鏡圖像景深遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于光學(xué)顯微鏡,是針對(duì)金相結(jié)構(gòu)、顯微斷口以及錫須等不平整樣品的重要分析方法。

X射線能譜分析

上面所說(shuō)的掃描電鏡一般都配有X射線能譜儀。當(dāng)高能的電子束撞擊樣品表面時(shí),表面物質(zhì)的原子中的內(nèi)層電子被轟擊逸出,外層電子向低能級(jí)躍遷時(shí)就會(huì)激發(fā)出特征X射線,不同元素的原子能級(jí)差不同而發(fā)出的特征X射線就不同。

因此,可以將樣品發(fā)出的特征X射線作為化學(xué)成分分析。同時(shí)按照檢測(cè)X射線的信號(hào)為特征波長(zhǎng)或特征能量又將相應(yīng)的儀器分別叫波譜分散譜儀(簡(jiǎn)稱波譜儀,WDS)和能量分散譜儀(簡(jiǎn)稱能譜儀,EDS)。

波譜儀的分辨率比能譜儀高,能譜儀的分析速度比波譜儀快。由于能譜儀的速度快且成本低,所以一般的掃描電鏡配置的都是能譜儀。

隨著電子束的掃描方式不同,能譜儀可以進(jìn)行表面的點(diǎn)分析、線分析和面分析,可得到元素不同分布的信息。

點(diǎn)分析得到一點(diǎn)的所有元素;線分析每次對(duì)指定的一條線做一種元素分析,多次掃描得到所有元素的線分布;面分析對(duì)一個(gè)指定面內(nèi)的所有元素分析,測(cè)得元素含量是測(cè)量面范圍的平均值。

在PCB的分析上,能譜儀主要用于焊盤表面的成分分析,可焊性不良的焊盤與引線腳表面污染物的元素分析。

能譜儀的定量分析的準(zhǔn)確度有限,低于0.1%的含量一般不易檢出。能譜與SEM結(jié)合使用可以同時(shí)獲得表面形貌與成分的信息,這是它們應(yīng)用廣泛的原因所在。

光電子能譜(XPS)分析

樣品受X射線照射時(shí),表面原子的內(nèi)殼層電子會(huì)脫離原子核的束縛而逸出固體表面形成電子,測(cè)量其動(dòng)能Ex,可得到原子的內(nèi)殼層電子的結(jié)合能Eb,Eb因不同元素和不同電子殼層而異,它是原子的“指紋”標(biāo)識(shí)參數(shù),形成的譜線即為光電子能譜(XPS)。

XPS可以用來(lái)進(jìn)行樣品表面淺表面(幾個(gè)納米級(jí))元素的定性和定量分析。

此外,還可根據(jù)結(jié)合能的化學(xué)位移獲得有關(guān)元素化學(xué)價(jià)態(tài)的信息。能給出表面層原子價(jià)態(tài)與周圍元素鍵合等信息;入射束為X射線光子束,因此可進(jìn)行絕緣樣品分析,不損傷被分析樣品快速多元素分析;還可以在氬離子剝離的情況下對(duì)多層進(jìn)行縱向的元素分布分析(可參見(jiàn)后面的案例),且靈敏度遠(yuǎn)比能譜(EDS)高。

XPS在PCB的分析方面主要用于焊盤鍍層質(zhì)量的分析、污染物分析和氧化程度的分析,以確定可焊性不良的深層次原因。

熱分析差示掃描量熱法

在程序控溫下,測(cè)量輸入到物質(zhì)與參比物質(zhì)之間的功率差與溫度(或時(shí)間)關(guān)系的一種方法。

DSC在試樣和參比物容器下裝有兩組補(bǔ)償加熱絲,當(dāng)試樣在加熱過(guò)程中由于熱效應(yīng)與參比物之間出現(xiàn)溫差ΔT時(shí),可通過(guò)差熱放大電路和差動(dòng)熱量補(bǔ)償放大器,使流入補(bǔ)償電熱絲的電流發(fā)生變化。

而使兩邊熱量平衡,溫差ΔT消失,并記錄試樣和參比物下兩只電熱補(bǔ)償?shù)臒峁β手铍S溫度(或時(shí)間)的變化關(guān)系,根據(jù)這種變化關(guān)系,可研究分析材料的物理化學(xué)及熱力學(xué)性能。

DSC的應(yīng)用廣泛,但在PCB的分析方面主要用于測(cè)量PCB上所用的各種高分子材料的固化程度、玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度,這兩個(gè)參數(shù)決定著PCB在后續(xù)工藝過(guò)程中的可靠性。

機(jī)械分析儀

熱機(jī)械分析技術(shù)(Thermal Mechanical Analysis)用于程序控溫下,測(cè)量固體、液體和凝膠在熱或機(jī)械力作用下的形變性能,常用的負(fù)荷方式有壓縮、針入、拉伸、彎曲等。

測(cè)試探頭由固定在其上面的懸臂梁和螺旋彈簧支撐,通過(guò)馬達(dá)對(duì)試樣施加載荷,當(dāng)試樣發(fā)生形變時(shí),差動(dòng)變壓器檢測(cè)到此變化,并連同溫度、應(yīng)力和應(yīng)變等數(shù)據(jù)進(jìn)行處理后可得到物質(zhì)在可忽略負(fù)荷下形變與溫度(或時(shí)間)的關(guān)系。

根據(jù)形變與溫度(或時(shí)間)的關(guān)系,可研究分析材料的物理化學(xué)及熱力學(xué)性能。

TMA的應(yīng)用廣泛,在PCB的分析方面主要用于PCB最關(guān)鍵的兩個(gè)參數(shù):測(cè)量其線性膨脹系數(shù)和玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度。膨脹系數(shù)過(guò)大的基材的PCB在焊接組裝后常常會(huì)導(dǎo)致金屬化孔的斷裂失效。

由于PCB高密度的發(fā)展趨勢(shì)以及無(wú)鉛與無(wú)鹵的環(huán)保要求,越來(lái)越多的PCB出現(xiàn)了潤(rùn)濕不良、爆板、分層、CAF等等各種失效問(wèn)題。

介紹這些分析技術(shù)在實(shí)際案例中的應(yīng)用。PCB失效機(jī)理與原因的獲得將有利于將來(lái)對(duì)PCB的質(zhì)量控制,從而避免類似問(wèn)題的再度發(fā)生。

部分案例

板電后圖電前擦花

切片圖

斷口處的銅表面光滑、沒(méi)有被蝕痕跡

OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡(發(fā)白)

形狀多為條狀或塊狀

附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)

從切片上看,圖電層會(huì)包裹板電層和底銅

銅面附著干膜碎

斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小

斷口處銅面平整、沒(méi)有發(fā)亮

銅面附著膠或類膠的抗鍍物

斷口處銅面不平整、發(fā)亮;有時(shí)成鋸齒狀

通常伴隨短路或殘銅出現(xiàn)

曝光不良

切片圖

斷口呈尖形,沒(méi)有沙灘位,除斷口附近幼線外板面其它位置沒(méi)有幼線

斷口呈尖形或圓形,沒(méi)有沙灘位,附近伴隨線路不良出現(xiàn)

斷口呈尖形,沒(méi)有沙灘位,伴隨曝光垃圾造成的殘銅或短路出現(xiàn)

從切片上看,圖電層會(huì)伸出一個(gè)彎鉤狀,有長(zhǎng)有短

擦花干膜

面積較大、常伴隨短路出現(xiàn)

形狀不規(guī)則、但有方向性

錫面擦花

切片圖

斷口沒(méi)有明顯沙灘位,為較重的擦花導(dǎo)致;較輕時(shí)有沙灘位,或沒(méi)有蝕穿

從切片上看,被蝕處較為圓滑,有平緩的坡度,沙灘位較大

溶錫或電錫不良

切片圖

顯影不凈

較少發(fā)生、一般面積較大

斷口及附近線路邊緣發(fā)亮

圖電后擦花

圖電后的擦花,一般擦花處的基材和銅面都較為粗糙,基材上會(huì)有銅粒,擦花的線路處會(huì)有明顯被擦花的痕跡,線路邊會(huì)有順著擦花方向的突出

從切片上看,擦花處的線路會(huì)被壓向基材方向,有明顯的彎曲

甩膜

干膜余膠導(dǎo)致的線路不良

切片圖

干膜余膠造成的線路不良,基材位不會(huì)有殘銅

線路不良處底部一般都非常平整,會(huì)露出銅的顏色,與周圍線路的顏色不一樣

從切片上看,線路不良處板電層和底銅完整,但鍍不上二銅,周圍的圖電層有一個(gè)包裹的動(dòng)作

滲鍍

從平面上看,滲鍍處會(huì)發(fā)亮,滲鍍的地方會(huì)有一個(gè)圓滑的坡度,沒(méi)有被蝕的痕跡

從切片上看,滲鍍處有圖電層

蝕板不凈(夾菲林)

切片圖

蝕板不凈(夾菲林)不會(huì)發(fā)亮,底部很平,沒(méi)有坡度,呈階梯狀,會(huì)有一些被蝕的痕跡

從切片上看,蝕板不凈處沒(méi)有圖電層

針孔

針孔一般發(fā)生在線路或孔環(huán)的邊緣,不會(huì)出現(xiàn)在線路中間

針孔的切片是一個(gè)非常平滑的圓弧,有圖電層

綠油釘床壓傷

綠油釘床壓傷是定位性的,線路壓傷處一般呈現(xiàn)圓形凹陷,底部會(huì)有延伸突出

切片圖形呈弓狀,圖電層被擠壓向板電層

線路縮腰

1、特征:

一般出現(xiàn)在密集排線上,呈括弧狀,縮腰處線路邊緣發(fā)亮。

2、原因:

線路縮腰的出現(xiàn)與生產(chǎn)板的結(jié)構(gòu)類型有關(guān),此類板密集排線多,孔少。

在干菲林顯影時(shí),顯影藥水不易排泄出去,油性物質(zhì)易附著在線路邊緣,導(dǎo)致顯影不凈。圖電蝕刻之后就出現(xiàn)了縮腰。

3、解決方法:

顯影時(shí)行板方向與密集排線線路走向平行,密集排線多的一面朝下放板。

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原文標(biāo)題:技術(shù)丨PCB失效分析及部分案例

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    在現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)中,PCB(印刷電路板)作為元器件的載體和電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~,其質(zhì)量與可靠性水平直接決定了整機(jī)設(shè)備的性能表現(xiàn)。然而,由于成本控制和技術(shù)限制,PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用過(guò)程中常常出現(xiàn)各種失效
    的頭像 發(fā)表于 03-17 16:30 ?739次閱讀
    <b class='flag-5'>PCB</b><b class='flag-5'>失效</b>分析技術(shù):保障電子信息產(chǎn)品可靠性

    芯片失效分析的方法和流程

    ? 本文介紹了芯片失效分析的方法和流程,舉例了典型失效案例流程,總結(jié)了芯片失效分析關(guān)鍵技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和對(duì)策,并總結(jié)了芯片失效分析的注意事項(xiàng)。 ? ? 芯片
    的頭像 發(fā)表于 02-19 09:44 ?2150次閱讀

    PCB及PCBA失效分析的流程與方法

    PCB失效分析:步驟與技術(shù)作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~PCB(PrintedCircuitBoard,印刷電路板)已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定
    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:47 ?1332次閱讀
    <b class='flag-5'>PCB</b>及PCBA<b class='flag-5'>失效</b>分析的流程與方法

    如何有效地開(kāi)展EBSD失效分析

    失效分析的重要性失效分析其核心任務(wù)是探究產(chǎn)品或構(gòu)件在服役過(guò)程中出現(xiàn)的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂、環(huán)境應(yīng)力開(kāi)裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類型。深入剖析
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:01 ?802次閱讀
    如何有效地開(kāi)展EBSD<b class='flag-5'>失效</b>分析

    數(shù)據(jù)中心蓄電池失效會(huì)造成哪些危害及相關(guān)解決方案

    一、數(shù)據(jù)中心蓄電池失效可能會(huì)帶來(lái)以下影響: 1. 供電中斷: 蓄電池作為UPS的關(guān)鍵組成部分,為數(shù)據(jù)中心提供電力的最后保障。一旦蓄電池失效,在市電停電或UPS系統(tǒng)出現(xiàn)問(wèn)題時(shí),無(wú)法為數(shù)據(jù)中心設(shè)備提供
    的頭像 發(fā)表于 01-08 16:49 ?1183次閱讀
    數(shù)據(jù)中心蓄電池<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>會(huì)</b>造成哪些危害及相關(guān)解決方案

    EBSD失效分析策略

    材料失效分析在材料科學(xué)和工程實(shí)踐中,失效分析扮演著至關(guān)重要的角色,它致力于探究產(chǎn)品或構(gòu)件在實(shí)際使用過(guò)程中出現(xiàn)的失效現(xiàn)象。這些現(xiàn)象可能表現(xiàn)為由多種因素引起的斷裂,例如疲勞、應(yīng)力腐蝕或環(huán)境誘導(dǎo)的脆性斷裂
    的頭像 發(fā)表于 12-24 11:29 ?938次閱讀
    EBSD<b class='flag-5'>失效</b>分析策略

    國(guó)巨陶瓷電容失效是什么原因?

    時(shí),電場(chǎng)會(huì)影響材料的結(jié)構(gòu)和性能。長(zhǎng)期作用下,電場(chǎng)會(huì)導(dǎo)致電容器內(nèi)部電介質(zhì)的極化效應(yīng),從而增加介質(zhì)的損耗,減少電容器的絕緣阻值,甚至會(huì)導(dǎo)致短路。 晶粒之間的電子遷移也會(huì)加劇電容器的失效。
    的頭像 發(fā)表于 11-18 14:52 ?992次閱讀
    國(guó)巨陶瓷電容<b class='flag-5'>失效</b>是什么原因?